衡陞科技利用EBIRCH手法透過Kleindiek PS8準確定位出Gate Oxide Leak

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衡陞科技利用EBIRCH手法透過Kleindiek PS8準確定位出Gate Oxide Leak

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  • 2020-05-07
衡陞科技利用EBIRCH手法透過Kleindiek PS8準確定位出Gate Oxide Leak

 

  衡陞科技為世界領先的奈米探針製造商,並同為Kleindiek nanoprober 在台灣及中國區第一優先代理商。

  近期,衡陞科技成功使用EBIRCH手法在衡陞科技自有實驗室利用PS8系統精準定位出Gate Oxide的問題。

  目前衡陞科技自產奈米探針,能夠定位出最低漏電值為E-10Defect

 

  以下為E-beam相關應用-EBIRCH的範例介紹

   首先利用InGaAs手法定位出大範圍的漏電

     

    接著利用Delayer手法將樣品準備至該層的Drain或是Source是連在一起的。

    後續再藉由EBIRCH手法來快速並精準定位出GateDrain或是GateSource的那個接點有問題,最後收斂至電晶體大小的leak

     

   在EBIRCH定位後,使用TEM執行PFA,發現確實有gate oxide的問題

     

 

  以下為E-beam相關利用之簡短說明 

Technique

Method

Object

Defect Sorts

Full Name of Technique

EBAC

absorb

Metal Line

open, short

Electron Beam Absorbed Current

EBIC

e-p pair

p-n junction

p-n junction

Electron Beam Induced Current

EBIRCH

Heat

Different material

short

Electron Beam Induced Resistance Change

RCI

Absorb

Metal line

Local High R

Resistive Contrast Imaging

 

  如有興趣或有任何問題,請洽電衡陞科技:03-666-1059