MESOSCOPE 成功使用EBIRCH定位出defect位置

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近期，衡升科技成功使用自制之探针，搭配Kleindiek PS8使用EBIRCH的手法在衡升科技自有实验室中定位出defect位置。

首先，我们确认gate to source的电流，发现其电流低于客户所测试的电流。

接着我们确认gate to drain及gate to bulk的电流，发现此两条IV 曲线为二极管曲线，这表示在gate to source间有defect。

我们使用EBIRCH来找到defect的位置，可以看到右上角红圈处即为defect的位置。

SEM	EBIRCH	Overlay

定位完成后我们进行EDX mapping，发现有As 和P元素在这个defect的位置。

本次所使用的探针为CR100B，该型号适用在100~130奈米的制程，所有的针都有预先清洁，因此可以直接使用。

以下为E-beam相关利用之简短说明

Technique	Method	Object	Defect Sorts	Full Name of Technique
EBAC	absorb	Metal Line	open, short	Electron Beam Absorbed Current
EBIC	e-p pair	p-n junction	p-n junction	Electron Beam Induced Current
EBIRCH	Heat	Different material	short	Electron Beam Induced Resistance Change
RCI	Absorb	Metal line	Local High R	Resistive Contrast Imaging

如有兴趣或有任何问题，请洽电衡升科技：+886-3-666-1059

MESOSCOPE is the world leader in Nano-scale metallic probe manufacturer.

新竹科学工业园区展业一路9号2楼之2

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